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K12A60U中文资料PDF规格书

K12A60U
厂商型号

K12A60U

功能描述

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS??

文件大小

187.12 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 17:43:00

K12A60U规格书详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON-resistance : RDS (ON) = 0.36 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance : ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V)

• Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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