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FDD6612	文件：226.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6612A	文件：226.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6612A	文件：122.79 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6612A	文件：873.81 Kbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDS6612A	文件：339.7 Kbytes Page：18 Pages	EVALUATIONKIT INTRODUCINGLX1710/1711AUDIOMAX ThankyouforyourinterestinthelatestgenerationofAudioMAXproducts.TheenclosedLXE1710evaluationboardisafullyfunctionalmonoamplifierdesignedtodemonstratethe“newandimproved”SwitchingClass-DPowerAmplifierICfromLinfinityMicrosemi.The	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FDS6612A	文件：164.38 Kbytes Page：7 Pages	SingleN-Channel,Logic-Level,PowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：246.99 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：479.23 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features Fastswitchingspeed Lowgatecharge Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=8.4A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6612A-NL	文件：1.00896 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDU6612A	文件：122.79 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
ADRF6612-EVALZ
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
开发板，套件，编程器 > 射频评估和开发套件，开发板
包装：
盒
类型：
混频器
频率：
700MHz ~ 3GHz
配套使用/相关产品：
ADRF6612
所含物品：
板
描述：
ADRF6612 EVAL BOARD

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