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BFG540W	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540W/X	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540W/X	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540W/XR	文件：162.31 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorsinplastic,4-pindual-emitterSOT343NandSOT343Rpackages. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS Theyareintend	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540W/XR	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540W-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG540W-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

产品属性

产品编号：
ADR540BKS-R2
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3
描述：
IC VREF SHUNT PREC 4.096V SC70-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市豪迈兴电子有限公司	ADR540BKS-R2	ADI	2339+	NA	6423	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
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深圳市永贝尔科技有限公司	ADR540BKS-R2	AD	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
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更多ADR540BKS供应商更新时间2024-6-3 16:00:00

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