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ADR292ERZ-REEL	文件：348.48 Kbytes Page：20 Pages	Low Noise Micropower 2.5 V and 4.096 V Precision Voltage References GENERALDESCRIPTION TheADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET®referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improvementsincludeonequart	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR292ERZ-REEL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）电压基准描述：IC VREF SERIES 0.07% 8SOIC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
292	文件：45.74 Kbytes Page：1 Pages	LowCostSingleandMultichannelIsolationAmplifier	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
292	文件：3.17457 Mbytes Page：11 Pages	CylindricalCase,High-CurrentandHigh-VoltageCircuits Designedforfrequenciesrangingfrom100kHzto3MHz, MicaCapacitorTypes291,292,293and294arewellsuited forhigh-currentandhigh-voltagecircuitslikeradiotransmitters. Castincylindricalcases,thesecapacitorsareelectrically equivalenttoMIL-C-5StylesCM75throughCM93 in	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
292A	文件：121.78 Kbytes Page：5 Pages	TapeandReelSpecifications	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
292A	文件：1.32234 Mbytes Page：6 Pages	LowCost,SingleandMultichannelIsolationAmplifier	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
292A	文件：75.64 Kbytes Page：2 Pages	SMDAirWoundCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
292A	文件：45.74 Kbytes Page：1 Pages	LowCostSingleandMultichannelIsolationAmplifier	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
292AR	文件：221.15 Kbytes Page：2 Pages	SMDAIRWOUNDCOIL	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
292B	文件：121.78 Kbytes Page：5 Pages	TapeandReelSpecifications	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
292B	文件：75.64 Kbytes Page：2 Pages	SMDAirWoundCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
292D	文件：122.34 Kbytes Page：8 Pages	SolidTantalumChipCapacitors,TANTAMOUNT®LeadFramelessMolded	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
ADR292	文件：348.48 Kbytes Page：20 Pages	LowNoiseMicropower2.5Vand4.096VPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET®referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improvementsincludeonequart	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR292	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR292ER	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR292ER-REEL	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR292ER-RELL	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR292ERZ	文件：348.48 Kbytes Page：20 Pages	LowNoiseMicropower2.5Vand4.096VPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET®referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improvementsincludeonequart	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR292FR	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR292FR-REEL	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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产品属性

产品编号：
ADR292ERZ-REEL
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
系列：
XFET®
包装：
卷带（TR）
参考类型：
系列
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
4.096V
容差：
±0.07%
温度系数：
10ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
12µVp-p
电压 - 输入：
5V ~ 15V
电流 - 供电：
18µA
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC VREF SERIES 0.07% 8SOIC

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更多ADR292ERZ-REEL供应商更新时间2024-5-1 10:36:00

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