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293	文件：3.17457 Mbytes Page：11 Pages	CylindricalCase,High-CurrentandHigh-VoltageCircuits Designedforfrequenciesrangingfrom100kHzto3MHz, MicaCapacitorTypes291,292,293and294arewellsuited forhigh-currentandhigh-voltagecircuitslikeradiotransmitters. Castincylindricalcases,thesecapacitorsareelectrically equivalenttoMIL-C-5StylesCM75throughCM93 in	CDE Cornell Dubilier Electronics
293A	文件：70.92 Kbytes Page：2 Pages	SMDAirWoundCoils	FRONTIER Frontier Electronics
293A	文件：121.78 Kbytes Page：5 Pages	TapeandReelSpecifications	FRONTIER Frontier Electronics
293D	文件：401.3 Kbytes Page：22 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技
293D	文件：595.17 Kbytes Page：24 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技
293D	文件：511.01 Kbytes Page：24 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitorsTANTAMOUNT™,MoldedCase,StandardIndustrialGrade FEATURES •Moldedcaseavailableinsixcasecodes •Terminations:100mattetinstandard, tin/leadavailable •Compatiblewith“highvolume”automatic pickandplaceequipment •MeetsEIA-535-BAACmechanicaland performancerequirements •QualifiedtoEIA-717 •Moisturesensitivityle	VishayVishay Siliconix 威世科技
293D	文件：160.55 Kbytes Page：13 Pages	SolidTantalumChipCapacitorsTANTAMOUNT,Commercial,SurfaceMount FEATURES •Moldedcaseavailableinsixcasecodes •Terminations:100mattetin,standard,tin/leadavailable •Compatiblewith“HighVolume”automaticpickandplaceequipment •MeetsIECspecificationQC300801/US0001andEIA535BAACmechanicalandperformancerequirements •Moisturesensit	VishayVishay Siliconix 威世科技
293x	文件：111.6 Kbytes Page：1 Pages	Laser&detectorchip&TO-canproducts	AVAGOAvago 安华高安华高科技
AC293	文件：176.48 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE
AC293	文件：68.61 Kbytes Page：2 Pages	10TO200MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
ADR293	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293	文件：993.6 Kbytes Page：32 Pages	UltralowNoise,HighAccuracy	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293	文件：261.98 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293-EP	文件：182.99 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293-EPisalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improv	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293ER	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293ER-REEL	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293ERZ	文件：261.97 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293ERZ-REEL	文件：261.97 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADR293FR	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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详细参数

型号：
ADR293FRZ
制造商：
Analog Devices
功能描述：
V-Ref Precision 5V 5mA 8-Pin SOIC N Tube
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
LOW NOISE, MICROPWR PRECISION VOLT. REF. - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ADR293FRZ供应商更新时间2024-4-27 11:00:00

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