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ADPA7009-2	文件：1.7192 Mbytes Page：24 Pages	20 GHz to 54 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, 29 dBm (0.5 W) Power Amplifier GENERALDESCRIPTION TheADPA7009-2isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphic high-electron-mobilitytransistor(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),0.5Wpoweramplifierwithanintegrated temperature-compensated,on-chippowerdetectorthatoperates between20GHzand5	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADPA7009-2ACEZ	文件：1.7192 Mbytes Page：24 Pages	20 GHz to 54 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, 29 dBm (0.5 W) Power Amplifier GENERALDESCRIPTION TheADPA7009-2isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphic high-electron-mobilitytransistor(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),0.5Wpoweramplifierwithanintegrated temperature-compensated,on-chippowerdetectorthatoperates between20GHzand5	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADPA7009-2ACEZ-R7	文件：1.7192 Mbytes Page：24 Pages	20 GHz to 54 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, 29 dBm (0.5 W) Power Amplifier GENERALDESCRIPTION TheADPA7009-2isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphic high-electron-mobilitytransistor(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),0.5Wpoweramplifierwithanintegrated temperature-compensated,on-chippowerdetectorthatoperates between20GHzand5	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADPA7009-2-EVALZ	文件：1.7192 Mbytes Page：24 Pages	20 GHz to 54 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, 29 dBm (0.5 W) Power Amplifier GENERALDESCRIPTION TheADPA7009-2isagalliumarsenide(GaAs),pseudomorphic high-electron-mobilitytransistor(pHEMT),monolithicmicrowaveintegrated circuit(MMIC),0.5Wpoweramplifierwithanintegrated temperature-compensated,on-chippowerdetectorthatoperates between20GHzand5	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
PE7009-2	文件：278.14 Kbytes Page：5 Pages	2dBFixedAttenuator,75OhmBNCMaleto75OhmBNCFemaleBrassNickelBody	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE7009-2	文件：212.75 Kbytes Page：3 Pages	2dBFixedAttenuator,75BNCMaleTo75BNCFemaleBrassNickelBodyRatedTo1WattUpTo1GHz	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK

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