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ME40N03	文件：1.01583 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME40N03P	文件：981 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME40N03P-G	文件：980.93 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MI40N03	文件：1.01571 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTD40N03	文件：1.01528 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NTD40N03R	文件：65.76 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET45Amps,25Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD40N03R	文件：259.959 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD40N03R	文件：119.19 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET45A,25V,N−ChannelDPAK Features •PlanarHD3eProcessforFastSwitchingPerformance •LowRDS(on)toMinimizeConductionLoss •LowCisstoMinimizeDriverLoss •LowGateCharge •OptimizedforHighSideSwitchingRequirementsin High−EfficiencyDC−DCConverters •ThesearePb−FreeDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD40N03RG	文件：1.01524 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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