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BF904	文件：111.29 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF904A	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF904AR	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF904AWR	文件：114.5 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistors.ThetransistorsconsistofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. TheBF904A,BF904ARandBF904AWRareencapsulatedintheSOT143B,S	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF904R	文件：111.29 Kbytes Page：16 Pages	N-channeldualgateMOS-FETs DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT143BandSOT143Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF904WR	文件：119.77 Kbytes Page：12 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Enhancementtypefield-effecttransistorinaplasticmicrominiatureSOT343Rpackage.ThetransistorconsistsofanamplifierMOS-FETwithsourceandsubstrateinterconnectedandaninternalbiascircuittoensuregoodcross-modulationperformanceduringAGC. FEATURES •Speciallyde	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD904	文件：74.28 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodules DESCRIPTION HybridamplifiermodulesinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). Bothmodulesareelectricallyidenticalonlythepinningisdifferent. FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Excellentreturnlossproperties •Siliconnitridepassivatio	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD904L	文件：72.85 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingwithasupplyvoltageof24V. FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Excellentreturnlossproperties •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationensuresexcellentreliability	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD904MI	文件：74.28 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodules DESCRIPTION HybridamplifiermodulesinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). Bothmodulesareelectricallyidenticalonlythepinningisdifferent. FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Excellentreturnlossproperties •Siliconnitridepassivatio	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLV904	文件：131.09 Kbytes Page：16 Pages	UHFpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialpowertransistorinan8-leadSOT409BSMDpackagewithceramiccap.Allleadsareisolatedfromthemountingbase. FEATURES •Emitterballastingresistorsforoptimumtemperatureprofile •Goldmetallizationensuresexcellentreliability •Internalinp	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
ADG904BRU-R-REEL
功能描述：
IC MULTIPLEXER 4X1 20TSSOP
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
系列：
-
标准包装：
48
功能：
开关
电路：
4 x SPST - NO
导通状态电阻：
100 欧姆
电压电源：
单/双电源电压 -
电源，单路/双路(±)：
2 V ~ 12 V，±2 V ~ 6 V 电流 -
电源：
50nA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC
包装：
管件

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