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AN601	文件：102.72 Kbytes Page：8 Pages	UnclampedInductiveSwitchingRuggedMOSFETsForRuggedEnvironments UnclampedInductiveSwitchingRuggedMOSFETsForRuggedEnvironments TheevolutionofthepowerMOSFEThasresultedinaveryruggedtransistor.Thesemiconductorindustrydefinesthisruggednessasthecapabilitytowithstandavalanchecurrentswhensubjectedtounclampedinductiveswitching.Hi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
AOP601	文件：157.29 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOP601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.ASchottkydiodeinparallelwiththen-channelFETreducesbodydioderelatedlo	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOP601L	文件：157.29 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOP601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.ASchottkydiodeinparallelwiththen-channelFETreducesbodydioderelatedlo	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP601	文件：767.47 Kbytes Page：10 Pages	HighDynamicRange1.8W28VHBTAmplifier ProductDescription TheAP601isahighdynamicrangepoweramplifierinalead-free/RoHS-compliant5x6mmpowerDFNSMTpackage.Thesinglestageamplifierhas13.5dBgain,whilebeingabletoachievehighperformancefor800-2400MHzapplicationswithupto+32.5dBmofcompressed1dBpower.	WJCI WJ Communication. Inc.	WJCI
AP601-F	文件：767.47 Kbytes Page：10 Pages	HighDynamicRange1.8W28VHBTAmplifier ProductDescription TheAP601isahighdynamicrangepoweramplifierinalead-free/RoHS-compliant5x6mmpowerDFNSMTpackage.Thesinglestageamplifierhas13.5dBgain,whilebeingabletoachievehighperformancefor800-2400MHzapplicationswithupto+32.5dBmofcompressed1dBpower.	WJCI WJ Communication. Inc.	WJCI
ASSR-601J	文件：1.62003 Mbytes Page：12 Pages	1500VHighVoltage,1FormA,SolidStateRelay(MOSFET)	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ASSR-601JT	文件：1.64085 Mbytes Page：12 Pages	AutomotiveSolidStateRelaywithR2CouplerTMIsolation	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ASSR-601JV	文件：1.64085 Mbytes Page：12 Pages	AutomotiveSolidStateRelaywithR2CouplerTMIsolation	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ASX601	文件：759.17 Kbytes Page：13 Pages	250-2500MHzMMICAmplifier Description TheASX601,apoweramplifierMMIC,hasahighlinearity,highgain,andhighefficiencyoverawiderangeoffrequency,beingsuitableforuseinbothreceiverandtransmitteroftelecommunicationsystemsupto2.5GHz.TheamplifierisavailableinaSOT89packageandpassesthrough	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASX601	文件：1.20396 Mbytes Page：15 Pages	250~2500MHzMMICAmplifier	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB

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详细参数

型号：
ADG601BRMZ
功能描述：
IC SWITCH SPST 8MSOP
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
系列：
-
标准包装：
1,000
功能：
多路复用器
电路：
1 x
4：
1
导通状态电阻：
-
电压电源：
双电源电压 -
电源，单路/双路(±)：
±5V 电流 -
电源：
7mA
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
16-SOIC
包装：
带卷(TR)

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