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AUIRF7478QTR	文件：396.89 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
AUIRF7478QTR	文件：197.11 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	IRF International Rectifier	IRF
CV7478	文件：13.77 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO18MetalPackage	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
E-TDA7478AD	文件：168.88 Kbytes Page：8 Pages	SINGLECHIPRDSDEMODULATOR DESCRIPTION TheTDA7478recoverstheadditionalinaudibleRDSinformationwhichistransmittedbyFMradiobroadcastingstationsandoperatesinaccordancewiththeEBU(EuropeanBroadcastingUnion)specifications. FEATURES ■VERYHIGHRDSDEMODULATIONQUALITYWITHIMPROVEDDIGITALSIGNA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF7478	文件：491.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs 100%EASGuaranteed GreenDeviceAvailable SuperLowGateCharge ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7478	文件：209.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V) Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478PBF	文件：128.38 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478PBF	文件：133.78 Kbytes Page：8 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478PBF	文件：133.78 Kbytes Page：8 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478QPBF	文件：194.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesebenefitscombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. TheefficientSO-8pa	IRF International Rectifier	IRF

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