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IR3564AMTRPBF	文件：392.63 Kbytes Page：4 Pages	DualOutputDigitalMulti-PhaseController	IRF International Rectifier	IRF
IR3564AMXXYYTRP	文件：392.63 Kbytes Page：4 Pages	DualOutputDigitalMulti-PhaseController	IRF International Rectifier	IRF
K3564	文件：94.43 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(PIE-MOS4) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=3.7Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=2.6S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=720V) •Enhancement-mode:Vth=2.0~4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
LC3564B	文件：137.66 Kbytes Page：9 Pages	64K(8192-word쨈8-bit)SRAMwithOE,CE1,andCE2ControlPins Overview TheLC3564B,LC3564BS,LC3564BM,andLC3564BTare8192-word×8-bitasynchronoussilicongateCMOSSRAMs.ThesearefullCMOStypeSRAMsthatadoptasix-transistormemorycellandfeaturefastaccesstimes,lowoperatingpowerdissipation,andanultralowstandbycurrent. Features	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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LC3564BS	文件：137.66 Kbytes Page：9 Pages	64K(8192-word쨈8-bit)SRAMwithOE,CE1,andCE2ControlPins Overview TheLC3564B,LC3564BS,LC3564BM,andLC3564BTare8192-word×8-bitasynchronoussilicongateCMOSSRAMs.ThesearefullCMOStypeSRAMsthatadoptasix-transistormemorycellandfeaturefastaccesstimes,lowoperatingpowerdissipation,andanultralowstandbycurrent. Features	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC3564BT	文件：137.66 Kbytes Page：9 Pages	64K(8192-word쨈8-bit)SRAMwithOE,CE1,andCE2ControlPins Overview TheLC3564B,LC3564BS,LC3564BM,andLC3564BTare8192-word×8-bitasynchronoussilicongateCMOSSRAMs.ThesearefullCMOStypeSRAMsthatadoptasix-transistormemorycellandfeaturefastaccesstimes,lowoperatingpowerdissipation,andanultralowstandbycurrent. Features	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC3564CM	文件：71.92 Kbytes Page：11 Pages	64K(8192-wordx8-bit)SRAMwithOE,CE1,andCE2ControlPins Overview TheLC3564CMandLC3564CT-55U/70Uare8192-word×8-bitasynchronoussilicongateCMOSSRAMs.ThesearefullCMOStypeSRAMsthatadoptasix-transistormemorycellandfeaturefastaccesstimes,lowoperatingpowerdissipation,andanultralowstandbycurrent. Features •Supplyv	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC3564CT	文件：71.92 Kbytes Page：11 Pages	64K(8192-wordx8-bit)SRAMwithOE,CE1,andCE2ControlPins Overview TheLC3564CMandLC3564CT-55U/70Uare8192-word×8-bitasynchronoussilicongateCMOSSRAMs.ThesearefullCMOStypeSRAMsthatadoptasix-transistormemorycellandfeaturefastaccesstimes,lowoperatingpowerdissipation,andanultralowstandbycurrent. Features •Supplyv	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC3564RM	文件：442.22 Kbytes Page：10 Pages	64K(8192wordsx8bits)SRAM Overview TheLC3564RM,RTare8192-word×8bit,asynchronous,silicongate,low-voltageCMOSSRAMLSIs.Theyoperatefroma2.0to3.6Vsupply,makingthemidealforhandheld,battery-operatedequipment. Features ■Supplyvoltagerange:2.0to3.6V •3Voperation:2.7to3.6V •Battery	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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