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CHM9952AJPT	文件：321.79 Kbytes Page：3 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT3.7Ampere P-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT2.9Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomo	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
IRF9952	文件：134.65 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952PBF	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952PBF	文件：224.24 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QPBF	文件：280.44 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QTRPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952TRPBF	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	GenerationVTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
KDS9952A	文件：80.33 Kbytes Page：3 Pages	DualN&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KRF9952	文件：70.12 Kbytes Page：3 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
AD9952/PCB
制造商：
Analog Devices
功能描述：
Evaluation Board For Digital Synthesizer
功能描述：
400 MSPS 14BIT CMOS DIRECT DGTL SYNTHESIZER - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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