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IRF9640	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9640	文件：170.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-11A) VDSS=-200V RDS(on)=0.50Ohm ID=-11A	IRF International Rectifier	IRF
IRF9640	文件：63.94 Kbytes Page：7 Pages	11A,200V,0.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-Channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9640	文件：1.92898 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9640	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9640	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9640	文件：272.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9640	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF9640	文件：158.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutparts	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9640	文件：151 Kbytes Page：6 Pages	11A,200V,0.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Features •11A,200V •r DS(ON) =0.500 Ω •SinglePulseAvalancheEnergyRated •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •RelatedLiterature -TB334,“GuidelinesforSolderingSurfaceMount Componentsto	SYC SYC Electronica	SYC

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