IRF9640中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书
IRF9640规格书详情
FEATURES
• Low RDS(on)
• Improved Inductive ruggedness
• Fast switching times
• Rugged polysllicon gate cell structure
• Low Input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
产品属性
- 型号:
IRF9640
- 功能描述:
MOSFET P-Chan 200V 11 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
150 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
TO220 |
2654 |
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TI |
23+ |
DIP |
12000 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
80000 |
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IR |
24+ |
TO 220 |
161294 |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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SOP/DIP |
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IR |
22+ |
NA |
26 |
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INTERNATIONA |
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TO220 |
9888 |
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IR |
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TO-262 |
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