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CEM9430A	文件：497.81 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES ●-20V,-5.8A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=-10V.-2A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●SurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
ELM9430B-N	文件：82.01 Kbytes Page：6 Pages	CMOSPFMstep-upDC/DCconverter	ELM-TECHELM Technology Corporation 榆木科技榆木科技股份公司	ELM-TECH
ELM9430B-S	文件：82.01 Kbytes Page：6 Pages	CMOSPFMstep-upDC/DCconverter	ELM-TECHELM Technology Corporation 榆木科技榆木科技股份公司	ELM-TECH
EVAL-ADE9430ARDZ	文件：1.20992 Mbytes Page：35 Pages	HighPerformance,PolyphaseEnergy,andClassSPowerQualityMonitoringIC FEATURES ►7highperformance,24-bitΣ-ΔADCs ►101dBSNRat8kSPSwithPGA=1 ►Wideinputvoltagerange:±1V,707mVrmsfullscaleatgain=1 ►Differentialinputs ►±25ppm/°Cmaximumchanneldrift(includingADC,internal VREF,PGAdrift)enabling10000:1dynamicinputrange,Class	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
GAPM9430	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
M9430	文件：552.95 Kbytes Page：3 Pages	MODULARIN-GRADELUMINAIRESINGLELENS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NDS9430	文件：139.54 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9430	文件：66.16 Kbytes Page：7 Pages	SingleP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingNationalsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9430	文件：139.03 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgatedrivevoltageratings(4.5V–20V). Features •–5.3A,–30VRDS(ON)=60mΩ@VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9430A	文件：66.16 Kbytes Page：7 Pages	SingleP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingNationalsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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