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BD680A	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD680A	文件：131.11 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675A/677A/679A/681 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD680A	文件：102.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675A/677A/679A/681 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD680A	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BD680A	文件：123.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS ForUseAsOutputDevicesInComplementaryGeneralPurposeAmplifierApplications. COMPLEMENTARYTOBD675,675A,677,677A,679,679A,681&683 BD678,678A,680,680AAREEQUIVALENTTOMJE700,702,703.	CDIL CDIL	CDIL
BD680A	文件：153 Kbytes Page：6 Pages	MediumPowerLinearandSwitching	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680A	文件：382.93 Kbytes Page：12 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD680A	文件：76.26 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682/AarePNPtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. NPNcomplementsareBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/A Compli	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD680AG	文件：87.44 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPDarlingtons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680AG	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicCons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD680CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD680CT	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD680CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •F	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD680G	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicCons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD680G	文件：87.44 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPDarlingtons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BME680	文件：1.98116 Mbytes Page：50 Pages	Lowpowergas,pressure,temperature&humiditysensor	bosch 博世	bosch
C680	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C-680-K	文件：192.91 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默普莱默电子（芜湖）有限公司	PREMO
CDBD680-G	文件：94.81 Kbytes Page：4 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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产品属性

产品编号：
AD680JR
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
管件
参考类型：
系列
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
2.5V
容差：
±0.4%
温度系数：
25ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
10µVp-p
电压 - 输入：
4.5V ~ 36V
电流 - 供电：
280µA
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC VREF SERIES 0.4% 8SOIC

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更多AD680JR供应商更新时间2024-5-21 18:30:00

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