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ARF678	文件：66.14 Kbytes Page：4 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE Repetitivevoltageupto4500V Meanforwardcurrent1690A Surgecurrent27kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BAS678	文件：41.15 Kbytes Page：2 Pages	High-speeddiode Features ●SmallplasticSMDpackage ●Highswitchingspeed:max.6ns ●Continuousreversevoltage:max.80V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.600mA.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS678	文件：43.02 Kbytes Page：7 Pages	High-speeddiode DESCRIPTION TheBAS678isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinthesmallrectangularplasticSMDSOT23package. FEATURES •SmallplasticSMDpackage •Highswitchingspeed:max.6ns •Continuousreversevoltage:max.80V •Repetitivepeakrevers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD678	文件：134.84 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS PNPSiliconDarlingtonTransistors Epibasepowerdarlingtontransistors(40W)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD678	文件：110.03 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD676,676A,678,678A,680,680A,682arecomplementarywithBD	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD678	文件：87.96 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description ThedevicesaremanufacturedinplanarbaseislandtechnologywithmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applications ■Line	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD678	文件：102.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPDarligtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675/BD677/BD679 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD678	文件：131.41 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPDarligtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675/BD677/BD679 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD678	文件：84.55 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682/AarePNPtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. NPNcomplementsareBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/A Compli	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD678	文件：55.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS ForUseAsOutputDevicesInComplementaryGeneralPurposeAmplifierApplications. COMPLEMENTARYTOBD675,675A,677,677A,679,679A,681&683BD678,678A,680,680AAREEQUIVALENTTOMJE700,702,703.	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

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产品属性

产品编号：
AD678BJ
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 模数转换器（ADC）
包装：
管件
位数：
12
采样率（每秒）：
200k
输入数：
1
输入类型：
单端
数据接口：
并联
配置：
S/H-ADC
比率 - S/H：
1：1
架构：
闪存
参考类型：
内部
电压 - 供电，模拟：
±12V
电压 - 供电，数字：
5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
44-CLCC（J形引线）
供应商器件封装：
44-JLCC（16.39x16.39）
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC ADC 12BIT FLASH 44JLCC

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