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BC640TFR	文件：111.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD640CS	文件：146.79 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD640CS	文件：123.03 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Voltage40~200VCurrent6A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O. ●Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace ●Lowpowerloss,Highefficiency ●Highsurgecapacity ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260oC	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CT	文件：46.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •F	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD640CT	文件：147.04 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BFP640	文件：1.36937 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor •HighgainlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •IdealforCDMAandWLANapplications •OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor •HighgainlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •IdealforCDMAandWLANapplications •OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640	文件：154.94 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640	文件：272.86 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor •HighgainlownoiseRFtransistor •Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications •IdealforCDMAandWLANapplications •OutstandingnoisefigureF=0.65dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.2dBat6GHz •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.88251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP640ESD	文件：1.59951 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
AD640BE
功能描述：
IC AMP LOG 2.3MA 20CLCC
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation
系列：
-
其它有关文件：
TS1854A View All Specifications
标准包装：
50
放大器类型：
通用
电路数：
4
输出类型：
满摆幅
转换速率：
0.25 V/µs
增益带宽积：
630kHz
-3db带宽：
- 电流 -
输入偏压：
16nA 电压 -
输入偏移：
1000µV 电流 -
电源：
162µA 电流 -
输出/通道：
48mA 电压 -
电源，单路/双路(±)：
1.8 V ~ 6 V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
14-SO
包装：
管件

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更多AD640BE供应商更新时间2024-6-6 17:08:00

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