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HDSP-5501	文件：264.61 Kbytes Page：8 Pages	14.2mm(0.56inch)SevenSegmentDisplays	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HDSP-5501	文件：264.06 Kbytes Page：8 Pages	14.2mm(0.56inch)SevenSegmentDisplays Description The14.2mm(0.56inch)LEDsevensegmentdisplaysaredesignedforviewingdistancesupto7metres(23feet).Thesedevicesuseanindustrystandardsizepackageandpinout.Boththenumericand±1overflowdevicesfeaturearighthanddecimalpoint.Alldevicesareavailableasei	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HDSP-5501	文件：339.84 Kbytes Page：10 Pages	14.2mm(0.56inch)SevenSegmentDisplays	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HDSP-5501	文件：352.1 Kbytes Page：10 Pages	SevenSegmentDisplays Description The14.2mm(0.56inch)LEDsevensegmentdisplaysaredesignedforviewingdistancesupto7metres(23feet).Thesedevicesuseanindustrystandardsizepackageandpinout.Boththenumericand±1overflowdevicesfeaturearighthanddecimalpoint.Alldevicesareavailableaseit	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
LTS-5501AB	文件：172.47 Kbytes Page：5 Pages	0.56INCH(14.22mm)DIGTHHEIGHT	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
LTS-5501AE	文件：133.59 Kbytes Page：5 Pages	0.56INCH(14.22mm)DIGTHHEIGHT	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
LX5501A	文件：158.4 Kbytes Page：7 Pages	InGAPHBTGainBlock Thisgeneral-purposeamplifierisalowcost,broadbandRFICmanufacturedwithanInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process(MOCVD). Designedasaneasilycascadable50-ohminternallymatchedgainblock,theLX5501AcanbeusedforIFandRFamplificationinwireless/wiredv	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5501ASE	文件：158.4 Kbytes Page：7 Pages	InGAPHBTGainBlock Thisgeneral-purposeamplifierisalowcost,broadbandRFICmanufacturedwithanInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process(MOCVD). Designedasaneasilycascadable50-ohminternallymatchedgainblock,theLX5501AcanbeusedforIFandRFamplificationinwireless/wiredv	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5501B	文件：149.47 Kbytes Page：6 Pages	InGAPHBTGainBlockTM TheLX5501Bisalowcost,broadbandRFICamplifierthathasbeenmanufacturedwithanInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process(MOCVD).Designedasaneasilycascadable50-ohminternallymatchedgainblock,theLX5501BcanbeusedforIFandRFamplificationinwireless/wired	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5501BSE	文件：149.47 Kbytes Page：6 Pages	InGAPHBTGainBlockTM TheLX5501Bisalowcost,broadbandRFICamplifierthathasbeenmanufacturedwithanInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process(MOCVD).Designedasaneasilycascadable50-ohminternallymatchedgainblock,theLX5501BcanbeusedforIFandRFamplificationinwireless/wired	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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