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NCP5322A	文件：1.09175 Mbytes Page：32 Pages	TWO-PHASEBUCKCONTROLLERWITHINTEGRATEDGATEDRIVERSAND5-BITDAC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP5322ADW	文件：1.09175 Mbytes Page：32 Pages	TWO-PHASEBUCKCONTROLLERWITHINTEGRATEDGATEDRIVERSAND5-BITDAC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP5322ADW	文件：718.33 Kbytes Page：31 Pages	Two?뭁haseBuckControllerwithIntegratedGateDriversand5?묪itDAC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP5322ADWG	文件：718.33 Kbytes Page：31 Pages	Two?뭁haseBuckControllerwithIntegratedGateDriversand5?묪itDAC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE5322	文件：17.21 Kbytes Page：2 Pages	NTE5326/NTE5327/NTE5328SiliconBridgeRectifier,Single-Phase,25Amp Features: •SuperiorThermalDesign •SurgeOverloadRating:400A(Peak) •HoleThroughfor#8Screw •SilverplatedCopperTerminals	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NTE5322W	文件：17.71 Kbytes Page：2 Pages	SiliconBridgeRectifier,Single-Phase,25Amp Features: ●SuperiorThermalDesign ●SurgeOverloadRating:400A(Peak) ●HoleThroughfor#8Screw ●SilverplatedCopperLeads	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NX5322	文件：94.65 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5322Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.Thesedevicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=5.0mW •Lowthresholdcurrentlth=7mA •Differential	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NX5322	文件：190.24 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,InGaAsPMQW-FPLASERDIODE	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX5322	文件：245 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s, InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5322Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.These devicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. APPLICATIONS •S	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX5322EH	文件：245 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s, InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5322Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.These devicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. APPLICATIONS •S	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX5322EH	文件：94.65 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5322Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.Thesedevicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=5.0mW •Lowthresholdcurrentlth=7mA •Differential	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NX5322EH-AZ	文件：190.24 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,InGaAsPMQW-FPLASERDIODE	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX5322EK	文件：245 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s, InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5322Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.These devicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. APPLICATIONS •S	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX5322EK	文件：94.65 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5322Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.Thesedevicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=5.0mW •Lowthresholdcurrentlth=7mA •Differential	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NX5322EK-AZ	文件：190.24 Kbytes Page：7 Pages	1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s,InGaAsPMQW-FPLASERDIODE	CEL California Eastern Laboratories	CEL
PA5322	文件：280.7 Kbytes Page：17 Pages	100dB,24-Bit,192kHzStereoAudioCODEC	PROTECProtek Devices Protek Devices	PROTEC
PWR5322	文件：206.59 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountWirewoundResistors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
R5322N	文件：369.2 Kbytes Page：25 Pages	120mA2chLDOREGULATORS	RicohRICOH ELECTRONIC DEVICES CO., LTD. 理光理光集团	Ricoh
R5322N	文件：213.88 Kbytes Page：23 Pages	SOT23-6W120mA2chLDOREGULATORS OUTLINE TheR5322NSeriesarevoltageregulatorICswithhighoutputvoltageaccuracy,lowsupplycurrent,lowdropout,andhighripplerejectionbyCMOSprocess.EachofthesevoltageregulatorICsconsistsofavoltagereferenceunit,anerroramplifier,resistorsforsettingOutputVoltage,a	RicohRICOH ELECTRONIC DEVICES CO., LTD. 理光理光集团	Ricoh
RF5322	文件：691.4 Kbytes Page：12 Pages	3VTO4.5V,2.4GHzTO2.5GHzLINEARPOWERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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产品属性

产品编号：
AD5322ARM
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 数模转换器（DAC）
包装：
管件
位数：
12
数模转换器数：
2
建立时间：
10µs
输出类型：
Voltage - Buffered
差分输出：
无
数据接口：
SPI，DSP
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
2.5V ~ 5.5V
电压 - 供电，数字：
2.5V ~ 5.5V
INL/DNL (LSB)：
±2，±0.2
架构：
电阻串 DAC
工作温度：
-40°C ~ 105°C
封装/外壳：
10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
10-MSOP
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC DAC 12BIT V-OUT 10MSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AD5322ARM供应商更新时间2024-5-22 11:18:00

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