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AD1065C5	文件：844.27 Kbytes Page：11 Pages	650V/10A Silicon Carbide Schottky Diode in TO247-3 CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5 Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Benchmarkswitchingbehavior Noreverserecovery/Noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehavior Highsurgecurrentcapability Pb-freeleadplating;RoHScompliant JunctionTemperaturerangefrom-	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
D1065C5	文件：1.1747 Mbytes Page：11 Pages	5thGenerationthinQ!TM650VSiCSchottkyDiode 1Description Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Benchmarkswitchingbehavior Noreverserecovery/Noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehavior Highsurgecurrentcapability Pb-freeleadplating;RoHScompliant Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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650V/10A Silicon Carbide Schottky Diode in TO247-3 CoolSiC™ Automotive Schottky Diode 650V G5

Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Benchmarkswitchingbehavior Noreverserecovery/Noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehavior Highsurgecurrentcapability Pb-freeleadplating;RoHScompliant JunctionTemperaturerangefrom-

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5thGenerationthinQ!TM650VSiCSchottkyDiode

1Description Features Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide Benchmarkswitchingbehavior Noreverserecovery/Noforwardrecovery Temperatureindependentswitchingbehavior Highsurgecurrentcapability Pb-freeleadplating;RoHScompliant Qualifiedaccordin

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