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BD138	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD138	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD138	文件：47.23 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD138	文件：112.89 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD138	文件：752.35 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD138	文件：1.07635 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD135,BD137AndBD139	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD138	文件：180.8 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS PNPEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS DesignedforuseasAudioAmplifierandDriversUtilizing ComplementaryBD135,BD137,BD139	CDIL CDIL	CDIL
BD138	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES •HighCurrent	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BD138	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES •HighCurrent	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BD138	文件：216.56 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
BD138	文件：131.41 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD138G	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD138G	文件：86.87 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD138-TU	文件：1.28503 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrent ComplementToBD135,BD137AndBD139	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BLM138K	文件：399.19 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BPF-C138	文件：432.93 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
BPF-C138+	文件：432.93 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
BSS138	文件：828.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=50V ●ID=200mA(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BSS138	文件：295.08 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●50V/0.2A, RDS(ON)=3.5Ω(MAX)@VGS=5V.Id=0.2A RDS(ON)=10Ω(MAX)@VGS=2.75V.Id=0.2A ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●LowThresholdVoltage(0.5V—1.5V)MakeitIdealforLowVoltageApplications. ●SOT-23forSurf	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
BSS138	文件：623.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •50V/0.2A, RDS(ON)=3.5Ω@VGS=5V.Id=0.2A RDS(ON)=10Ω@VGS=2.75V.Id=0.2A •SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •ReliableandRugged. •LowThresholdVoltage(0.5V-1.5V)MakeitIdealforLowVoltageApplications. •SOT-23forSurface	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ACT-138ENL	ACT	2021+	1736	15238	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市恒佳微电子有限公司	ACT-138ENL	ACT	2021+	DIP/SOP	16500	十年专营原装现货,假一赔十	询价
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更多ACT-138ENL供应商更新时间2024-6-4 9:29:00

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