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CN3190	文件：4.87064 Mbytes Page：12 Pages	3M??EMI/EMCElectronicMaterials	3M 3M Electronics	3M
CZRB3190	文件：66.41 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
DMN3190LDW	文件：249.27 Kbytes Page：5 Pages	LowOn-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN3190LDWQ	文件：491.89 Kbytes Page：6 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: MotorControl DC-DCConverters LoadSwitch FeaturesandBenefits LowOn-Resistance Low	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
EVAL-ADuM3190EBZ	文件：476.61 Kbytes Page：16 Pages	HighStabilityIsolatedErrorAmplifier GENERALDESCRIPTION TheADuM31901isanisolatederroramplifierbasedonAnalogDevices,Inc.,iCoupler®technology.TheADuM3190isidealforlinearfeedbackpowersupplies.TheprimarysidecontrollersoftheADuM3190enableimprovementsintransientresponse,powerdensity,andstabilityas	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EVAL-ADuM3190EBZ	文件：526.26 Kbytes Page：21 Pages	HighStabilityIsolatedErrorAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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F3190DW	文件：412 Kbytes Page：5 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingit idealforhighefficiencypowermanagementapplications. Applications MotorControl PowerManagementFunctions LoadSwitch Featuresa	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
GPTR3190	文件：116.52 Kbytes Page：2 Pages	PHASECONTROLLEDSCR PHASECONTROLLEDSCR Highreliabilityoperation DCpowersupply ACdrives VOLTAGEUPTO2400V AVERAGECURRENT1900A SURGECURRENT22kA	GPSEMI Green Power Solutions srl	GPSEMI

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详细参数

型号：
ACNW3190
功能描述：
逻辑输出光电耦合器 5.0A IGBT Gate Drive
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
绝缘电压：
4243 Vrms
输出类型：
Push-Pull
最大传播延迟时间：
500 ns
最大连续输出电流：
2.5 A
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 100 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SO-16
封装：
Tube

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