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APT5022BNR	文件：337.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C5022	文件：34.33 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNPNTripleDiffused Features •HighbreakdownvoltageV(BR)CEO=1500VMin Application Highvoltageamplifier	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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