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ACE5022AE	文件：725.41 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE5022AEKG+H	文件：725.41 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ADP5022	文件：683.31 Kbytes Page：28 Pages	Dual3MHz,600mABuckRegulatorwith150mALDO GENERALDESCRIPTION TheADP5022isamicropowermanagementunit(microPMU)thatcombinestwohighperformancebuckregulatorsandalowdropoutregulator(LDO)inatiny16-ball2.08mm×2.08mmWLCSPtomeetdemandingperformanceandboardspacerequirements. FEATURES Inputvoltagerang	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF5022	文件：711.8 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSPDTSwitch,Nonreflective,100MHzto45GHz GENERALDESCRIPTION TheADRF5022isanonreflective,single-poledouble-throw(SPDT) switchmanufacturedinthesiliconprocess. TheADRF5022operatesfrom100MHzto45GHzwithatypical insertionlossof2.3dBandisolationof43dB.Thedevicehasan RFinput-powerhandlingcapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF5022BCCZN	文件：711.8 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSPDTSwitch,Nonreflective,100MHzto45GHz GENERALDESCRIPTION TheADRF5022isanonreflective,single-poledouble-throw(SPDT) switchmanufacturedinthesiliconprocess. TheADRF5022operatesfrom100MHzto45GHzwithatypical insertionlossof2.3dBandisolationof43dB.Thedevicehasan RFinput-powerhandlingcapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF5022-EVALZ	文件：711.8 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSPDTSwitch,Nonreflective,100MHzto45GHz GENERALDESCRIPTION TheADRF5022isanonreflective,single-poledouble-throw(SPDT) switchmanufacturedinthesiliconprocess. TheADRF5022operatesfrom100MHzto45GHzwithatypical insertionlossof2.3dBandisolationof43dB.Thedevicehasan RFinput-powerhandlingcapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AM5022	文件：65.489 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
APT5022AVR	文件：58.8 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5022BN	文件：51.04 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5022BN	文件：371.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	ACE50230AM	ACE	24+	SOT89-3	393428	专业LDO有现货热卖品	询价
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