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CET4435A	文件：893.3 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-8.8A,RDS(ON)=24mW@VGS=-10V. RDS(ON)=35mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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CET4435A

文件：893.3 Kbytes

Page：4 Pages

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-8.8A,RDS(ON)=24mW@VGS=-10V. RDS(ON)=35mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

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更多ACE4435B供应商更新时间2025-7-24 14:32:00

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