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AM3401	文件：791.11 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM3401usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. TheAM3401isavailableinSOT-23package. FEATURES VDS=-30V,ID=-	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM3401	文件：643.13 Kbytes Page：7 Pages	P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs GENERALDESCRIPTION TheAM3401isthehighestperformancetrenchPchMOSFETswithextremehighcelldensitywhichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesmallpowerswitchingandloadswitchapplications. TheAM3401meettheRoHSandGreenProductrequirement,withfullfunc	AXELITEAXElite technology co. ltd 亚瑟莱特亚瑟莱特科技股份有限公司	AXELITE
AM3401B	文件：533.08 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-30VP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION VDS=-30V VGS=±12V ID(A)=-4.2A RDS(ON)=55mΩ(MAX)@VGS=-10V. RDS(ON)=70mΩ(MAX)@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ(MAX)@VGS=-2.5V. TheAM3401BisavailableinSOT-23package. FEATURES ⚫SuperHighdensecelldesignforextremelylow RDS(ON) ⚫ReliableandRugged ⚫Ava	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM3401R	文件：643.13 Kbytes Page：7 Pages	P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs GENERALDESCRIPTION TheAM3401isthehighestperformancetrenchPchMOSFETswithextremehighcelldensitywhichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesmallpowerswitchingandloadswitchapplications. TheAM3401meettheRoHSandGreenProductrequirement,withfullfunc	AXELITEAXElite technology co. ltd 亚瑟莱特亚瑟莱特科技股份有限公司	AXELITE
AM3401RA	文件：643.13 Kbytes Page：7 Pages	P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs GENERALDESCRIPTION TheAM3401isthehighestperformancetrenchPchMOSFETswithextremehighcelldensitywhichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesmallpowerswitchingandloadswitchapplications. TheAM3401meettheRoHSandGreenProductrequirement,withfullfunc	AXELITEAXElite technology co. ltd 亚瑟莱特亚瑟莱特科技股份有限公司	AXELITE
AN3401	文件：1.13466 Mbytes Page：18 Pages	TheSPV1001andSPV1002aresystem-in-packagesolutions	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AO3401	文件：181.24 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3401usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardproductAO3401isPb-free(meetsROHS&Sony259spe	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3401	文件：1.4447 Mbytes Page：3 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET 30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=-30V RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-4.2A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
AO3401	文件：733.96 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3401usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardproductKSM3401isPb-free(meetsROHS&Sony259sp	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AO3401	文件：503.25 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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