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BC807-16	文件：303.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features 310mWPowerDissipation IdeallySuitedforAutomaticInsertion EpitaxialPlanarDieConstruction ForSwitching,AFDriverandAmplifierApplications ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817)	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BC807-16	文件：410.78 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion. ComplementaryNPNtypeavailableBC817 Epitaxialplanardieconstruction. APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcurrentsto1.0A.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC807-16	文件：481.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45Volts POWER225mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=500mA •Pbfreeproductareavailable:99Snabovecanmeet RoHSenvironmentsubstancedirectiverequest MECHANICALDATA Case:SOT-2	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC807-16	文件：311.01 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817) ●ForswitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC807-16	文件：340.11 Kbytes Page：2 Pages	0.3Walts,PNPPlastic-EncasulateTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC807-16	文件：424.78 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion Epitaxialplanardieconstruction ComplementarytoBC817(NPNType) MARKING BC807-16:5A; BC807-25:5B; BC807-40:5C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC807-16	文件：110.56 Kbytes Page：3 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC807-16	文件：274.99 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ·Ldeallysuitedforautomaticinsertion ·epitaxialplanardieconstruction ·complementaryNPNtypeavailable(BC817)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC807-16	文件：111.91 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC807-16	文件：343.5 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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产品属性

产品编号：
ABC807-16-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
200nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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