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BC136	文件：121.76 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeTransistors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BD136	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNPpowertransistors DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplements:BD135,BD137andBD139. FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Generalpurposepowerapplications,e.g.driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisi	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD136	文件：44.51 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：41.75 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD136	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS POWERTRANSISTORSPNPSILICON	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD136	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor 1.5AMPEREPOWERTRANSISTORSPNPSILICON45,60,80VOLTS10WATTS ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD136,138,140arecomplementarywithBD135,137,139	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD136	文件：76.38 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：88.13 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCBD136/BD138/BD140aresiliconepitaxialplanerPNPtransistor,designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ThecomplementaryNPNtypesaretheBD135/BD137/BD139.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD136	文件：57.38 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BD136	文件：53.9 Kbytes Page：2 Pages	PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

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上海专毅电子科技有限公司	AB136AFP	ANRITSU	17+	QFP100	9988	只做原装进口,自己库存	询价
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