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AA1A4M	文件：129.87 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1A4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURES ●Biasresistorbuilt-intypeNPNtransistorequipmentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AA1A4P	文件：125.31 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAA1A4Pisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURES ●Biasresistorbuilt-intypeNPNtransistorequipmentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AA1A4Z	文件：82.56 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1A4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AA1A4Z	文件：237.29 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAN1A4Z	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
AB1A4A	文件：85.06 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •Currentdriveavailableupto0.7A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AB1A4M	文件：85.06 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •Currentdriveavailableupto0.7A •On-chipbiasresistor •Lowpowerconsumptionduringdrive	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AN1A4M	文件：130.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1A4Misdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AN1A4P	文件：122.63 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheAN1A4Pisdesignedforuseinmediumspeedswitchingcircuit. FEATURE ●Biasresistorsbuilt-intypePNPtransistorequivalentcircuit.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AN1A4Z	文件：81.3 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1A4Z	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
AN1A4Z	文件：236.04 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=10kΩ) •ComplementarytransistorwithAA1A4Z	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

晶体管资料

型号：
AA1A4M
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC114ES,RN1002,UN4211,2SC3402,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.25

详细参数

型号：
AA1A4M
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON TRANSISTOR

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