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A966	文件：120.93 Kbytes Page：4 Pages	Audio Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
966	文件：199 Kbytes Page：8 Pages	3M??AdhesiveTransferTape966	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
AN966	文件：246.82 Kbytes Page：21 Pages	Thefront-endstageofconventionaloff-lineconverters	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
AV966	文件：424.85 Kbytes Page：3 Pages	TO-92MODPlastic-EncapsulateTransistors	AVICTEKAvic Technology Avic Technology
BF966	文件：268.6 Kbytes Page：3 Pages	SILICONN-CHANNELDUALGATEMOS-FET	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BF966	文件：396.69 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode-DepletionMode Features: IntegratedGateprotectiondiodes HighAGC-range Highcrossmodulationperformance Lowfeedbackcapacitance Lownoisefigure Lowinputcapacitance	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团
BF966S	文件：127.74 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Applications Input-andmixerstagesespeciallyUHF-tuners. Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF966SA	文件：161.09 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Applications Input-andmixerstagesespeciallyUHF-tuners. Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF966SB	文件：161.09 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Applications Input-andmixerstagesespeciallyUHF-tuners. Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance	VishayVishay Siliconix 威世科技
CD966B	文件：114.08 Kbytes Page：2 Pages	0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •1N962BTHRU1N986BAVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/117 •ZENERDIODECHIPS •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,WITHTHEEXCEPTIONOFSOLDERREFLOW	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
CDLL966B	文件：113.68 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES •1N962BUR-1thru1N986BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/117 •ZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
CDLL966B	文件：128.479 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES •1N962BUR-1thru1N986BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/117 •ZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CLL966A	文件：287.95 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	CDIL CDIL
CLL966B	文件：287.95 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	CDIL CDIL
CSA966	文件：160.09 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR ComplementaryCSC2236 AudioPowerAmplifierApplications	CDIL CDIL
DL966B	文件：93.21 Kbytes Page：3 Pages	0.5WSiliconPlanarZenerDiodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
G966	文件：46.25 Kbytes Page：1 Pages	2ALowDropoutRegulatorwithEnable	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技
G966A	文件：46.78 Kbytes Page：1 Pages	Peak3A,LowDropoutRegulatorwithEnable	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技
G966L	文件：63.38 Kbytes Page：1 Pages	Peak3A,LowDropoutRegulatorwithEnable	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技
HMD966U	文件：117.12 Kbytes Page：3 Pages	5GHzBalunforWirelessLAN	SOSHINSOSHIN 双信电机双信电机株式会社

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晶体管资料

型号：
A966
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
30
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
.9

详细参数

型号：
A966
制造商：
TE Connectivity
功能描述：
TXR54SJ90-1407AI
功能描述：
CONN - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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