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FDS8958A	文件：804.01 Kbytes Page：8 Pages	DualN&P-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS8958B	文件：434.76 Kbytes Page：10 Pages	DualN&P-ChannelPowerTrench짰MOSFETQ1-N-Channel:30V,6.4A,26m廓Q2-P-Channel:-30V,-4.5A,51m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KDS8958	文件：78.44 Kbytes Page：3 Pages	DualN&P-ChannelPowerTrenchMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
L8958	文件：127.2 Kbytes Page：2 Pages	Highoutputpower:1.5mW,pigtailtype Laserdiode Highoutputpower:1.5mW,pigtailtype Features ●Highoutputpower:1.5mW ●High-speedresponse:1.25GbpsMax. ●1.3µmFP(Fabry-perot)laser Applications ●Opticalfibercommunications	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
NDS8958	文件：354.63 Kbytes Page：13 Pages	DualN&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThesedualN-andP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperfo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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QPB8958SB	文件：2.11669 Mbytes Page：14 Pages	75Ω34dBCATVAmplifier50-1003MHz KeyFeatures ■HighGain:34dB@1003MHz ■AdjustableBias ■50-1003MHzBW ■46dBmV/chflattilt ■LowNoise:4.5dB ■ExcellentCompositeDistortion ■pHEMT/MESFETdevicetechnologies ■CompactSize:40P5x7QFN ■PowerConsumption(24V,260mA–5.8W)	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
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SDM8958	文件：736.68 Kbytes Page：9 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

详细参数

型号：
A8958CEA
制造商：
Allegro MicroSystems LLC

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