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A5G35H055N分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A5G35H055N |
| 参数属性 | A5G35H055N 包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| 功能描述 | Airfast RF Power GaN Transistor |
| 文件大小 |
204.56 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-23 11:09:00 |
A5G35H055N规格书详情
A5G35H055N属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A5G35H055N晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
A5G35H055NT4
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
散装
- 描述：
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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