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A5G26S008N_V01中文资料恩XP数据手册PDF规格书

A5G26S008N_V01
厂商型号

A5G26S008N_V01

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

文件大小

209.82 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

数据手册

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更新时间

2025-6-13 23:00:00

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A5G26S008N_V01规格书详情

This 27 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.

Features

• High terminal impedances for optimal broadband performance

• Designed for low complexity linearization systems

• Universal broadband driver

• Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

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