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AO4411	文件：2.81923 Mbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4411usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4411	文件：1.27134 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-8A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4411	文件：614.45 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4411	文件：959.71 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4411	文件：1.25334 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=-30V,ID=-8A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AO4411	文件：423.57 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4411	文件：346.87 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4411usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgate charge.Thisdeviceissuitableforuseasaload switchorinPWMapplications.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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