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A3V09H521-24S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 107 W Avg., 48 V; \n• Advanced high performance in-package Doherty\n• Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation\n• Designed for digital predistortion error correction systems\n• RoHS compliant\n; The A3V09H521-24S 107 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.	NXPNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	NXP

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Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 107 W Avg., 48 V; \n• Advanced high performance in-package Doherty\n• Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation\n• Designed for digital predistortion error correction systems\n• RoHS compliant\n;

The A3V09H521-24S 107 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.

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