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A3V09H521-24S分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

A3V09H521-24S
厂商型号

A3V09H521-24S

参数属性

A3V09H521-24S 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

文件大小

254.82 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 22:30:00

A3V09H521-24S规格书详情

Features

 Advanced high performance in--package Doherty

 Greater negative gate--source voltage range for improved Class C

operation

 Designed for digital predistortion error correction systems

A3V09H521-24S属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A3V09H521-24S晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    A3V09H521-24SR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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