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A2V09H525-04N中文资料720-960 MHz, 120 W平均值，48 V Airfast®射频功率晶体管数据手册恩XP规格书
A2V09H525-04N规格书详情
描述 Description
The A2V09H525-04N 120 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.
特性 Features
• Advanced high performance in-package Doherty
• Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
• Designed for digital predistortion error correction systems
• RoHS compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
TO270 |
27950 |
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恩XP |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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恩XP |
2022+ |
OM-1230-4L |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
PSC |
2447 |
TSOP54 |
100500 |
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PSC |
25+ |
TSOP54 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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FREESCALE |
2450+ |
TO270 |
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A原装 |
25+23+ |
DIP16 |
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PSC |
0509+ |
TSOP54 |
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询价 | ||
PSC |
2023+ |
TSOP54 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
