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A2T27S020N数据手册恩XP中文资料规格书
A2T27S020N规格书详情
描述 Description
The A2T27S020NR1 and A2T27S020GNR1 2.5 W RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications covering the frequency range of 400 to 2700 MHz.
特性 Features
• Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
• Designed for digital predistortion error correction systems
• Universal broadband driver
• RoHS compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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恩XP |
23+ |
TO-270-2 |
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