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A2T18S260W12N中文资料1805-1880 MHz,56 W平均值,28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管数据手册恩XP规格书

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厂商型号

A2T18S260W12N

功能描述

1805-1880 MHz,56 W平均值,28 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-27 16:02:00

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A2T18S260W12N规格书详情

描述 Description

The A2T18S260W12NR3 56 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.

特性 Features

• Designed for Wide Instantaneous Bandwidth Applications
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• Able to Withstand Extremely High Output VSWR and Broadband Operating Conditions
• Optimized for Doherty Applications
• RoHS compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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