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A2T08VD020N中文资料728-960 MHz，2 W平均值，48 V Airfast® LDMOS射频功率晶体管数据手册恩XP规格书
A2T08VD020N规格书详情
描述 Description
The A2T08VD020NT1 2 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 728 to 960 MHz.
特性 Features
• Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)
• Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function
• Integrated ESD Protection
• RoHS Compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
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恩XP |
24+ |
OM/1230- |
5070 |
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恩XP |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
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恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
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恩XP |
25+ |
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恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
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FREESCALE/飞思卡尔 |
23+ |
PQFN |
3000 |
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FREESCALC |
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QFN |
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FREESCALE/飞思卡尔 |
23+ |
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恩XP |
24+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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