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A2V07H525-04N数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

A2V07H525-04N

功能描述

595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-11 17:25:00

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A2V07H525-04N规格书详情

描述 Description

The A2V07H525-04N 120 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 595 to 851 MHz.

特性 Features

• Advanced high performance in-package Doherty
• Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
• Designed for digital predistortion error correction systems
• RoHS compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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