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A2V07H525-04N中文资料595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor数据手册恩XP规格书
A2V07H525-04N规格书详情
描述 Description
The A2V07H525-04N 120 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 595 to 851 MHz.
特性 Features
• Advanced high performance in-package Doherty
• Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
• Designed for digital predistortion error correction systems
• RoHS compliant
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2022+ |
OM-1230-4L |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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恩XP |
24+ |
NA |
38522 |
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恩XP |
23+ |
NI-780S-4L |
7087 |
NXP原厂渠道,2小时快速发货,大量现货库存 |
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恩XP |
24+ |
NA/ |
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恩XP |
24+ |
NA/ |
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FREESCALE |
24+ |
SMD |
8540 |
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恩XP |
25+ |
原厂封装 |
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恩XP |
25+ |
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FREESCALE |
17+ |
32 |
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恩XP |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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