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A2T26H160-24S分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A2T26H160-24S |
| 参数属性 | A2T26H160-24S 封装/外壳为NI-780S-4L2L；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S |
| 功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| 文件大小 |
604.74 Kbytes |
| 页面数量 |
17 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-22 10:08:00 |
A2T26H160-24S规格书详情
A2T26H160-24S属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2T26H160-24S晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
A2T26H160-24SR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
2.58GHz
- 增益：
15.5dB
- 功率 - 输出：
28W
- 封装/外壳：
NI-780S-4L2L
- 供应商器件封装：
NI-780S-4L2L
- 描述：
RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
21+ |
NI780S4L2L |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
NXP |
250 |
询价 | |||||
NXP USA Inc. |
24+ |
NI-780S-4L2L |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
NI-780S-4L2L |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
FREESCALE/飞思卡尔 |
14+ |
MODULE |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Freescale |
15+ |
226 |
全新进口原装 |
询价 | |||
FREESCALE |
2017+ |
NA |
2000 |
进口原装现货询价 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
MODULE |
6000 |
所有报价以当天为准 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
NI-780S-4L2L |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NXP/FREES |
1822+ |
NI-780S-4L2L |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |
