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A2T21H140-24SR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
A2T21H140-24SR3 |
参数属性 | A2T21H140-24SR3 封装/外壳为OM780-4;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4 |
功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
文件大小 |
395.7 Kbytes |
页面数量 |
16 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-15 16:18:00 |
A2T21H140-24SR3规格书详情
A2T21H140-24SR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2T21H140-24SR3晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
A2T21H140-24SR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
2.11GHz ~ 2.17GHz
- 增益:
17.4dB
- 额定电流(安培):
10µA
- 功率 - 输出:
169W
- 封装/外壳:
OM780-4
- 供应商器件封装:
OM780-4
- 描述:
RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
NI-1230-4LS2L |
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