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A2T18S262W12NR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
A2T18S262W12NR3 |
| 参数属性 | A2T18S262W12NR3 封装/外壳为OM-880X-2L2L；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| 功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| 文件大小 |
359.81 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-25 11:22:00 |
A2T18S262W12NR3规格书详情
A2T18S262W12NR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2T18S262W12NR3晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
A2T18S262W12NR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
1.805GHz ~ 1.88GHz
- 增益：
19.3dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
231W
- 封装/外壳：
OM-880X-2L2L
- 供应商器件封装：
OM-880X-2L2L
- 描述：
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
2023+ |
OM-880X-2 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
OM-880X-2 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FREESCALE |
2021+ |
NA |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
OM-880X-2 |
12000 |
原装现货,长期供应,终端账期支持 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
OM-880X-2 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
23+ |
OM-880X-2 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
OM-880X-2L2L |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
23+ |
OM-880X-2 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2021+ |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
