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A2T21H410-24S分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
A2T21H410-24S |
参数属性 | A2T21H410-24S 封装/外壳为NI-1230-4LS2L;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC TRANS RF LDMOS |
功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
文件大小 |
432.13 Kbytes |
页面数量 |
16 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-15 20:00:00 |
A2T21H410-24S规格书详情
A2T21H410-24S属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2T21H410-24S晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
A2T21H410-24SR6
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
2.17GHz
- 增益:
15.6dB
- 功率 - 输出:
72W
- 封装/外壳:
NI-1230-4LS2L
- 供应商器件封装:
NI-1230-4LS2L
- 描述:
IC TRANS RF LDMOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
NA/ |
15 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FREESCALE |
1948+ |
SMD |
6852 |
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询价 | ||
FREESCALE |
2048+ |
SMD |
9852 |
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询价 | ||
FREESCALE |
NI-1230S6 |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
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FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
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FREESCALE |
22+/23+ |
NI-1230S6 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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NXP |
22+ |
NI12304LS2L |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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FREESCALE |
NI-1230S6 |
货真价实,假一罚十 |
25000 |
询价 | |||
FREESCALE |
22+ |
NI-1230S6 |
9600 |
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