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A2I25H060N分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
![A2I25H060N](https://img.114ic.com/dgk/Renders/Freescale%20Renders/375;-98ASA00583D;-N;-17.jpg)
厂商型号 |
A2I25H060N |
参数属性 | A2I25H060N 封装/外壳为TO-270-17 变式,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC RF LDMOS AMP |
功能描述 | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
文件大小 |
1.05833 Mbytes |
页面数量 |
31 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-22 9:36:00 |
A2I25H060N规格书详情
A2I25H060N属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2I25H060N晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
A2I25H060NR1
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
2.59GHz
- 增益:
26.1dB
- 功率 - 输出:
10.5W
- 封装/外壳:
TO-270-17 变式,扁平引线
- 供应商器件封装:
TO-270WB-17
- 描述:
IC RF LDMOS AMP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
22+ |
TO270WB17 |
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NXP |
22+ |
TO270WB17 |
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2021+ |
TO-270WB-17 |
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TO270WB17 |
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