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A2I25H060N分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

A2I25H060N
厂商型号

A2I25H060N

参数属性

A2I25H060N 封装/外壳为TO-270-17 变式,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC RF LDMOS AMP

功能描述

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
IC RF LDMOS AMP

文件大小

1.05833 Mbytes

页面数量

31

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 9:36:00

A2I25H060N规格书详情

A2I25H060N属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的A2I25H060N晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    A2I25H060NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    2.59GHz

  • 增益:

    26.1dB

  • 功率 - 输出:

    10.5W

  • 封装/外壳:

    TO-270-17 变式,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    TO-270WB-17

  • 描述:

    IC RF LDMOS AMP

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