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A2I25H060GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

A2I25H060GNR1

包装:卷带(TR) 封装/外壳:TO-270-17 变型,鸥翼 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC TRANS RF LDMOS

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

A2I25H060N

RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    A2I25H060GNR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    2.59GHz

  • 增益:

    26.1dB

  • 功率 - 输出:

    10.5W

  • 封装/外壳:

    TO-270-17 变型,鸥翼

  • 供应商器件封装:

    TO-270WBG-17

  • 描述:

    IC TRANS RF LDMOS

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更多A2I25H060GN供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00