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A12M1T010

型号:AIMZH120R010M1T;Package:PG-TO247-4-STD-NT6.7;CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET

Features • VDSS = 1200 V at Tvj = -55...175°C • IDDC = 202 A at TC = 25°C • RDS(on) = 8.7 mΩ at VGS = 20 V, Tvj = 25°C • New performance-optimized chip technology (Gen1p) with improved RDSon* A FOM • Increased recommended turn-on voltage (VGS(on) = 20 V) for lower RDS(on) • Best in class swi

文件:1.66732 Mbytes 页数:15 Pages

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更多A12M1T010供应商 更新时间2025-8-5 16:50:00