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A12M1T160	文件：1.75015 Mbytes Page：15 Pages	型号：AIMZH120R160M1T；Package：PG-TO247-4-STD-NT6.7；CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=17AatTC=25°C •RDS(on)=160mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) •Bestinclassswit	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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A12M1T160

文件：1.75015 Mbytes

Page：15 Pages

型号：AIMZH120R160M1T；Package：PG-TO247-4-STD-NT6.7；CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=17AatTC=25°C •RDS(on)=160mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) •Bestinclassswit

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更多A12M1T160供应商更新时间2025-8-4 18:08:00

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